米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。

    所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶液在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。

    “slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。

    许秋的这番操作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：

    首先根据实验现象推断可能的原因；

    然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；

    再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；

    接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；

    最后翻文献，找到解决或者替代的方法。

    这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。

    另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。

    毕竟，检索SCI论文花费的时间可不少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。

    当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。

    就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLANA（计划A）扑街。

    即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。

    不过，许秋丝毫不慌。

    因为他还有PLANB，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLANA，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。

    在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。

    他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组YangYang发表的。

    不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。

    光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。

    目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。

    正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。

    最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。

    电极厚度在100纳米条
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